Intel i Micron wprowadzają 20nm proces produkcji pamięci NAND flash

Firmy Intel Corporation i Micron Technology Inc. przedstawiły dziś 20-nanometrowy proces technologiczny produkcji pamięci NAND flash. W nowym procesie wytwarzane jest 8-gigabajtowe urządzenie NAND flash typu Multi-Level Cell (MLC) o wysokiej pojemności i niewielkich rozmiarach, służące do przechowywania muzyki, wideo, e-booków i innych danych w smartfonach, tabletach czy dyskach SSD.

Nowe 20-nanometrowe urządzenie o pojemności 8 GB mierzy zaledwie 118 mm² i ogranicza zajmowaną przestrzeń na płytce drukowanej o 30 do 40 procent (w zależności od typu obudowy) w porównaniu z istniejącym, 25-nanometrowym urządzeniem NAND 8 GB firm Intel i Micron. Zmniejszenie rozmiarów pamięci flash zapewnia większą elastyczność, ponieważ pozwala producentom tabletów i smartfonów wykorzystać dodatkową przestrzeń do ulepszenia produktu, na przykład przez dodanie większej baterii, większego ekranu albo kolejnego układu do obsługi nowych funkcji.

Próbki 20 nm pamięci 8 GB są już dostępne, a jej masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2011 r. Intel i Micron oczekują, że zaprezentują wówczas pamięci 16-gigabajtowego, które pozwolą stworzyć pojedyncze, 128-gigabajtowe rozwiązanie pamięci półprzewodnikowej mniejszej od typowego znaczka pocztowego.

Wersja do druku

12.04.2011 r.

HTC Sensation na rynku, 18:08

Sąd odrzucił wniosek o pozwanie Marka Zuckerberga, 15:50

14.04.2011 r.

Microsoft o Internet Explorerze 10, 19:48

IBM przewidzi sytuację na drogach, 19:49