Hynix: pamięci DDR2 800 MHz

Koreańska firma Hynix, specjalizująca się w produkcji modułów pamięci do komputerów stacjonarnych, poinformowała o zaprojektowaniu kości DDR2 DRAM o częstotliwości 800 MHz.

Najnowsza pozycja w ofercie firmy Hynix to pierwszy moduł pamięci DDR2 DRAM wyprodukowany w technologii 60 nm, charakteryzujący się pojemnością 1 GB i częstotliwością pracy zegara 800 MHz. Dostępna jest także wersja o częstotliwości 667 MHz. Połączenie tak dużej pojemności z wysoką szybkością pracy było możliwe dzięki zastosowaniu najnowszych technologii produkcyjnych, trójwymiarowych tranzystorów i trójwarstwowej architektury. Zastosowanie tych technologii minimalizuje zużycie energii, zwiększa pojemność nośnika oraz wpływa na zwiększenie szybkości pracy.

Producent zapowiedział wprowadzenie modułu na rynek w pierwszej połowie przyszłego roku.

Wersja do druku

15.12.2006 r.

Nowa metoda produkcji tranzystorów organicznych, 16:45

Japońscy giganci gotowi na 45nm, 16:45

18.12.2006 r.

Pierwszy telefon z modułem UWB, 18:00

Cyberprzestępcy są coraz młodsi, 18:04