Hynix wyprodukował 2-gigabitowy mobilny moduł DRAM

Czwartek, 4 grudnia 2008, 18:44

Firma Hynix Semiconductor poinformowała o opracowaniu pierwszego na świecie 2-gigabitowego mobilnego modułu DRAM przy użyciu technologii 54 nm.

Produkt oferuje dwukrotnie większą pojemność w porównaniu do obecnych rozwiązań 1-gigabitowych. Zwiększa maksymalną prędkość operacyjną do 400 Mb/s przy napięciu 1.2 V i umożliwia przetwarzanie danych z prędkością do 1,6 GB/s. W dodatku jest bardziej energooszczędny od obecnie stosowanych rozwiązań.

Produkt spełnia wymagania standardu JEDEC i jest przeznaczony do urządzeń przenośnych nowej generacji takich jak MID (Mobile Internet Device) czy UMPC (Ultra Mobile PC).

Rozpoczęcie masowej produkcji przewidziano na pierwszą połowę przyszłego roku.

Wersja do druku

Poleć znajomym:

Udostępnij

Podobne tematy

Drammer: luki w zabezpieczeniach sprzętowych piętą achillesową Androida

, 14.01.2017 r.

BlackBerry w dramatycznej sytuacji

, 24.09.2013 r.

Rosną zapasy DRAM

, 24.08.2012 r.

Dysk SSD od Hynix

, 27.06.2012 r.

OCZ kończy produkcję kości DRAM

, 13.01.2011 r.

UE ukarała producentów DRAM

, 20.05.2010 r.

Hynix: Pierwsza pamięć GDDR5 2 Gb 40 nm

, 22.12.2009 r.

Hynix zamyka fabrykę w USA

, 25.07.2008 r.

GDDR5 od Hynix

, 16.11.2007 r.

Pokaż więcej...

Starsze

04.12.2008 r.

Masz już pomysł na Sylwestra?, 16:31

Doładuj na mieście, 14:33

Nowsze

04.12.2008 r.

Apple zachęca do używania antywirusów, 18:50

05.12.2008 r.

Cisco: Internet przez gniazdko elektryczne, 12:19

Opinie

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego.

Brak komentarzy. Może warto dodać swój własny?