Data: Środa, 4 maja 2011, 19:04

Intel wprowadza tranzystory w trzeci wymiar


Firma Intel ogłosiła dziś znaczący przełom w ewolucji tranzystora. Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate, o których świat usłyszał po raz pierwszy w 2002 roku, będą podstawą do produkcji w 22 nanometrowym procesie produkcyjnym procesorów o nazwie kodowej „Ivy Bridge”.

Trójwymiarowe tranzystory Tri-Gate są znaczącym krokiem w przód i odejściem od stosowanej powszechnie technologii tranzystorów dwuwymiarowych, z których korzysta się do produkcji procesorów zasilających nie tylko komputery ale także urządzenia elektroniki konsumenckiej, systemy elektroniki samochodowej, samoloty, urządzania gospodarstwa domowego, urządzenia medyczne i tysiące różnych kategorii produktów elektronicznych.

“Mu” – powiedział Paul Otellini, President and CEO Intela. “Kontynuowanie Prawa Moore’a pozwoli na powstanie niezwykłych urządzeń, kreujących zupełnie nowy świat technologii”.

Naukowcy od dawna są świadomi zalet trójwymiarowej struktury tranzystorów, jako kluczowego elementu do dalszej miniaturyzacji procesorów. Pokonując kolejne etapy Prawa Moore’a i produkując tranzystory niewiele większe od rozmiaru atomu, nowe technologie są niezbędne aby stawić czoła prawom fizyki. Najważniejszym elementem dzisiejszego ogłoszenia jest możliwość masowej produkcji procesorów opartych na tranzystorach 3-D Tri-Gate, co stworzy możliwości powstawania nowych generacji urządzeń.

Prawo Moore’a jest swojego rodzaju “przepowiednią”, od ponad 40 lat dyktującą tempo rozwoju krzemowych technologii produkcji procesorów. Mówi ono, że co ok. 2 lata będzie podwajać się gęstość tranzystorów na ustalonej powierzchni, tym samym zwiększając funkcjonalność i wydajność nowych generacji procesorów, przy jednoczesnym obniżeniu kosztów produkcji.

Niespotykana oszczędnośc energii i wzrost wydajności


Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate Intela pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych, czego wynikiem będzie zwiększona wydajność i zmniejszone zapotrzebowanie na energię, w porównaniu do poprzedniej generacji tranzystorów. Te właściwości dadzą projektantom procesorów nowe możliwości i wybór zastosowania tranzystorów o konkretnych właściwościach do produkcji chipów nastawionych na zwiększoną wydajność lub zmniejszony pobór energii.

Nowe 22 nm tranzystory 3-D Tri-Gate oferują do 37% więcej wydajności przy niskim napięciu w porównaniu z 32 nm dwu-wymiarowymi jednostkami. Jest to cecha która będzie kluczowa w zastosowaniach do smartfonów i innych urządzeń mobilnych, które wymagają coraz większej funkcjonalności i mocy przy zachowaniu długiego czasu pracy na baterii.

Alternatywnie nowe tranzystory, przy zachowaniu tej samej wydajności, konsumują o ponad 50% mniej energii, niż poprzednia 32nm generacja.

Tranzystory 3-D Tri-Gate będą podstawą w nadchodzącym 22 nm procesie produkcyjnym. Ponad 6 milionów 22 nm tranzystorów Tri-Gate zmieści się na powierzchni kropki na końcu tego zdania.

Dziś Intel także zademonstrował pierwsze na świecie, działające procesory 22 nm, o nazwie kodowej „Ivy Bridge”, pracujące w notebooku, serwerze i desktopie. Nowa rodzina 22 nm procesorów Intel® Core™ będzie pierwszą produkowaną masowo, która wykorzysta tranzystory 3-D Tri-Gate. Ivy Bridge będzie gotowe do produkcji masowej pod koniec tego roku.

Przełom w technologii produkcji tranzystorów pozwoli także na zaprojektowanie jeszcze bardziej funkcjonalnych, wydajnych i oszczędnych energetycznie procesorów Intel Atom.
| Drukuj | Zamknij |