Data: Piątek, 21 listopada 2014, 19:31

Molekuły POM przyszłością pamięci flash?


Komponenty MOS (metal-oxide-semiconductor) wykorzystywane do produkcji pamięci flash są ograniczone fizycznym limitem wielkości komórki pamięci. Bardzo trudno bowiem jest je zmniejszyć poniżej 10 nanometrów, co ogranicza liczbę komórek, jakie można umieścić na tradycyjnym krzemowym układzie.

Naukowcy od pewnego czasu pracują nad molekułami, które mogłyby zastąpić konwencjonalne rozwiązania. Jednak stworzenie nowych molekuł również jest trudne. Wiele z nich jest nieodporna na zmiany temperatury i charakteryzuje się zbyt dużą opornością.

Uczeni z Glasgow University oraz hiszpańskiego Universitat Rovira i Virgili znaleźli możliwe rozwiązanie tego problemu – wykorzystali molekuły POM (polyoxometalate).

Mariusz Błoński
| Drukuj | Zamknij |