Nowa technika produkcji wysokiej jakości grafenu

Na Georgia Institute of Technology powstała technika tworzenia wysokiej jakości warstw epitaksjalnego grafenu na plastrach węgliku krzemu.

Nowa technika polega na ścisłym kontrolowaniu ciśnienia gazowego krzemu.

Obecnie uzyskuje się cienkie warstwy grafenu na węgliku krzemu w warunkach próżni, w temperaturze około 1500 stopni Celsjusza. To powoduje odparowanie krzemu i pojawienie się warstwy węgla. Jednak niekontrolowane parowanie prowadzi do uzyskania grafenu niskiej jakości.

Uczeni zaczęli od umieszczenia plastra węgliku krzemu w grafitowym opakowaniu. Znajduje się w nim niewielki otwór, który pozwala na kontrolowanie tempa parowania krzemu, utrzymując parowanie i kondensację mniej więcej w równowadze. Wzrost epitaksjalnego grafenu jest możliwy albo w próżni, albo w obecności obojętnego gazu, takiego jak argon.

Epitaksjalny grafen może stać się bazą dla nowej generacji wysoko wydajnych urządzeń tam, gdzie ich wyjątkowa wydajność usprawiedliwia wysoki koszt. W mniej wydajnych urządzeniach nadal będzie dominował krzem.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

26.09.2011 r.

Rozpoczyna się budowa systemu Galileo, 12:52

Seagate szykuje pierwszy 4-terabajtowy wewnętrzny HDD?, 12:51

26.09.2011 r.

Samsung: Ruszyła największa na świecie fabryka układów pamięci, 12:53

29.09.2011 r.

Prestigio Pen Flash Drive, 17:07