Hynix: Pierwsza pamięć GDDR5 2 Gb 40 nm

Wtorek, 22 grudnia 2009, 10:04

Hynix zademonstrował pierwszą na rynku 2-gigabitową pamięć GDDR5, wyprodukowaną w procesie technologicznym 40 nm.

Produkt jest obecnie najszybszą i najgęstszą pamięcią graficzną na rynku. Pracuje z przepustowością do 28 GB/s. Pamięć do działania wymaga napięcia zaledwie 1,35 V. W porównaniu do poprzednich, 50-nanometrowych rozwiązań, nowa pamięć zmniejsza zużycie energii elektrycznej o 20%.

Hynix planuje rozpoczęcie masowej produkcji 2 Gb GDDR5 w drugiej połowie przyszłego roku.

Wersja do druku

Poleć znajomym:

Udostępnij

Podobne tematy

Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa

, 22.05.2016 r.

Pierwsza mysz dla graczy z wyświetlaczem OLED, wymiennym sensorem i wibracjami

, 08.01.2016 r.

F-Secure: pierwsza połowa 2013 roku pod znakiem exploitów

, 10.10.2013 r.

Pierwsza porno aplikacja dla Google Glass zablokowana

, 04.06.2013 r.

Dysk SSD od Hynix

, 27.06.2012 r.

Pierwsza duża poprawka dla Windows Phone 7

, 23.03.2011 r.

Samsung: GDDR5 w 50-nanometrach w produkcji

, 12.02.2009 r.

Hynix wyprodukował 2-gigabitowy mobilny moduł DRAM

, 04.12.2008 r.

Hynix zamyka fabrykę w USA

, 25.07.2008 r.

Samsung: GDDR5 o przepustowości 24 GB/s

, 03.12.2007 r.

GDDR5 od Hynix

, 16.11.2007 r.

Wyprodukowano pierwsze pamięci GDDR5

, 03.11.2007 r.

Pokaż więcej...

Starsze

21.12.2009 r.

Intel prezentuje nowej generacji platformę Atom, 17:50

Kwantowe bardziej pojemne?, 16:47

Nowsze

22.12.2009 r.

Szkodliwe programy w Polsce - listopad 2009, 19:08

Chiny wprowadzą białe listy?, 19:10

Opinie

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego.

Brak komentarzy. Może warto dodać swój własny?