heh.pl
Kanał informacyjny Heh.pl


Czwartek 1 grudnia 2022 r.

artykuły | abc komputera (archiwum) | forum dyskusyjne | redakcja


Czwartek, 19 marca 2009, 15:48

Spintroniczny memrystor

W ubiegłym roku HP zaprezentowało czwarty podstawowy element elektroniczny - memrystor. Teraz badacze z Seagate Technology opisali teoretyczne podstawy budowy magnetycznego (spintronicznego) memrystora.

Yiran Chen i Xiaobin Wang opracowali trzy typy memrystora. W jednym z nich spin części elektronów jest zwrócony w inną stronę, niż spin reszty, tworząc w ten sposób ścianę domeny. Elektrony przepływające przez memrystor posiadają pewien spin, który zmienia stan magnetyczny urządzenia. To z kolei przesuwa ścianę domeny i zmienia oporność urządzenia.

Dwa pozostałe pomysły zakładają szybkie przełączanie memrystora pomiędzy stanami wysokiej i niskiej oporności. Przełączanie mogłoby odbywać się z różną prędkością, od piko- do mikrosekund, w zależności od zastosowań. Jeśli np. wykorzystamy memrystor do budowy dysku twardego, potrzebne byłoby przełączanie mierzone w pikosekundach. Jeśli zaś zbudujemy z niego miernik promieniowania - w mikrosekundach.

Mariusz Błoński


Wersja do druku
Poleć znajomym: Udostępnij

Podobne tematy


Starsze

19.03.2009 r.

Kanada: Sąd o wyszukiwaniu plików, 15:47

Premiera IE8, 15:45


Nowsze

19.03.2009 r.

Samsung B2100 Xplorer - komórka dla aktywnych, 18:29

Włamanie do MacBooka w 10 sekund, 18:31


Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego.


Brak komentarzy. Może warto dodać swój własny?



Autor:  










Copyright © 2002-2022 | Prywatność | Load: 1.31 | SQL: 9 | Uptime: 154 days, 21:45 h:m | Wszelkie uwagi prosimy zgłaszać pod adresem eddy@heh.pl