eDRAM: Superszybka pamięć IBM-a

Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji. W sprzedaży nowa kość znajdzie się już w przyszłym roku.

Układ wykonany jest w technologii Silicon-on-Insulator (SOI). Wielkość komórki pamięci układu wynosi 0,126 mikrometra kwadratowego, a opóźnienie to zaledwie 1,5 ns.

Przedstawiciele IBM-a stwierdzili, że jej zastosowanie pozwoli na podwojenie wydajności firmowych procesorów. Takiego przyrostu mocy nie można uzyskać, jak zapewnił doktor Subramanian Iyer z IBM-a, za pomocą zwykłego przejścia na kolejny proces technologiczny.

IBM jest bardzo innowacyjną firmą na polu mikroelektroniki. Dokonała przełomowych badań nad materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k), wielordzeniowymi procesorami, wykorzystaniem miedzi w układach scalonych. Jej dziełem jest też technologia budowy tranzystorów krzemowo-germanowych, technologia eFUSE, która pozwala układowi scalonemu na automatyczne dostosowywanie się do zmiennych warunków pracy. Za 40-letni wkład w rozwój mikroelektroniki IBM został odznaczony przez Biały Dom Narodowym Medalem Technologicznym.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

16.02.2007 r.

iiyama: bliźniacze modele H, 14:16

Elektroniczny papier w telefonie, 14:10

16.02.2007 r.

Santa Rosa bez HSDPA, 14:20

17.02.2007 r.

Więcej pamięci w komórce Nokia, 14:58