Samsung: 4 GB pamięci flash w 40 nm

Środa, 13 września 2006, 01:05

Samsung zaprezentował pierwsze 40 nanometrowe pamięci flash. 4 GB pamięć NAND flash jest pierwszą z kart wykorzystującą CTF (Charge Trap Flash).

Nowa technologia pozwala zmniejszyć szumy między komórkami pamięci, przez co będzie możliwe przejście na proces 30 oraz 20 nm.

Wykorzystując proces 40 nm, a także technologię CTF, która pozwala na zwiększenie wydajności i szybkości działania kart, Samsung ma zamiar produkować 2GB, 4GB oraz 8GB karty. Jak narazie, niewiadomo kiedy karty trafią do sprzedaży.

Wersja do druku

Poleć znajomym:

Udostępnij

Podobne tematy

Samsung łata dziury w smartfonach Galaxy

, 25.05.2018 r.

Superkości Samsunga

, 02.03.2016 r.

Samsung wyprodukuje procesory AMD?

, 25.12.2015 r.

Samsung i Apple - liderzy zakupów

, 23.01.2015 r.

Samsung i Microsoft kończą spory patentowe?

, 19.08.2014 r.

Pokaż więcej...

Starsze

12.09.2006 r.

Finał największej Ligi Gier Komputerowych w Polsce, 20:50

Pierwsze testy Intel Core 2 Quadro, 17:30

Nowsze

13.09.2006 r.

PRAM - nowa generacja pamięci, 10:39

RIAA oskarża bez dowodów, 10:40

Opinie

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego.

Brak komentarzy. Może warto dodać swój własny?