Poniedziałek, 7 sierpnia 2006, 14:29
FeRAM w procesie 65 nm
Fujitsu Microeletronics powiadomiło, iż Tokijska Politechnika, razem z Fujitsu Laboratories i Fujitsu Limited opracowały nowy materiał, z którego można tworzyć moduły FeRAM (Ferroelectric RAM) w procesie produkcyjnym 65 nm. FeRAM jak można się domyśleć po nazwie, jest dalekim kuzynem niedawno opisywanego MRAM'u (Magnetic RAM).Tak jak pamięć magnetyczna, pamięć ferroelektryczna łączy w sobie zalety pamięci dynamicznej (DRAM), statycznej (SRAM) oraz pamięci flash – jest bardzo szybka, ale nie potrzebuje odświeżania komórek, a co za tym idzie jest energooszczędna i w pewnym stopniu niezależna od źródła zasilania, ponieważ nie traci zawartości po odcięciu dopływu prądu. Dane znikają dopiero w momencie procedury odczytu i wtedy muszą zostać odświeżone.
Idea pamięci FeRAM nie jest nowa, ale związek bizmutu, żelaza i tlenu wynaleziony przez Fujitsu, pozwala tworzyć kości o 5-krotnie wiekszej pojemności niż dotychczas, z uwagi na możliwość produkowania ich w procesie technologicznym 65 nm zamiast dotychczasowych 180 nm.
Fujitsu produkuje FeRAM w starej technologii od 1999 roku, zaś próbki pamięci korzystających z nowego materiału pojawią się równo 10 lat później, czyli w 2009.
Wersja do druku
Podobne tematy
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
, 16.06.2013 r.
FeRAM bliżej upowszechnienia
, 21.04.2009 r.
Plantronics: System audio z dwoma subwooferami
, 24.02.2009 r.Starsze
Koniec ery targów E3, 18:28
Japoński zegarek od Sega, 16:36
Nowsze
Google nie będzie sprzedawać muzyki, 14:30
Zdjęcia z GPS, 14:31
Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego.
Brak komentarzy. Może warto dodać swój własny?
Copyright © 2002-2024 | Prywatność | Load: 1.20 | SQL: 12 | Uptime: 72 days, 7:49 h:m |
Wszelkie uwagi prosimy zgłaszać pod adresem eddy@heh.pl