Data: Piątek, 25 marca 2011, 17:19

Doskonalsza elektronika dzięki grafenowym nanowstążkom


Na Georgia Institute of Technology powstała nowa technika uzyskiwania nanowstążek epitaksjalnego grafenu, dzięki której otrzymano struktury o szerokości 15-40 nanometrów przewodzące prąd niemal bez żadnego oporu. To pozwoli na łączenie grafenowych urządzeń z obecnie stosowanymi architekturami.

Nowa technika pozwala na otrzymanie epitaksjalnego grafenu o gładkich brzegach. Dotychczas uzyskiwano grafenowe wstążki o nierównych brzegach, co prowadziło do rozpraszania elektronów i interferencji. To z kolei powodowało, że ich właściwości były bliższe izolatorom niż przewodnikom.

Profesor Walt de Heer i jego zespół umieścił na podłożu z węgliku krzemu maskę z wzorem, według którego miał się odbywać wzrost grafenu. W samym węgliku wyryto też kontury wzdłuż brzegów wzoru. Gdy taki plaster podgrzano do temperatury około 1500 stopni Celsjusza, rozpoczął się proces topnienia, który wyrównał i wypolerował nierówności w konturach. Następnie na tak przygotowanym podłożu rozpoczęto proces wzrostu grafenu poprzez usunięcie atomów krzemu z węgliku.

Szerokość uzyskanych nanowstążek jest proporcjonalna do głębokości wyrytych konturów, co daje możliwość precyzyjnego kontrolowania ich rozmiarów. W celu uzyskania złożonych struktur wystarczy przeprowadzić wieloetapowy proces tworzenia konturów.

Uczony już od kilku miesięcy udoskonala wspominaną technikę i nie wyklucza, że wkrótce uda się wyprodukować nanowstążki o szerokości mniejszej niż 10 nanometrów.

Naukowiec przypomina, że jego zespół od dawna pracuje nad grafenową elektroniką i posiada patenty na różne techniki uzyskiwania epitaksjalnego grafenu.

Jeśli uda się taki efekt uzyskać, to manipulowanie elektronami w urządzeniach elektronicznych będzie odbywało się za pomocą technik podobnych do używanych w optyce. Na przykład przełączanie będzie można uzyskać za pomocą interferencji strumieni elektronów.

Zespół profesora de Heera chce w ciągu najbliższych 12 miesięcy skonstruować prototypowy przełącznik wykorzystujący zjawisko interferencji kwantowej.

Mariusz Błoński
| Drukuj | Zamknij |