Data: Czwartek, 12 sierpnia 2010, 11:30

Srebro usprawni organiczne tranzystory


Elektronika z materiałów organicznych ma być przełomem pod względem łatwości produkcji i niskiej ceny popularnych urządzeń: wyświetlaczy, ekranów dotykowych. Inżynierowie z Hong Kongu usprawnili pracę pentacenowych tranzystorów warstwą nanocząsteczek srebra.

Paddy Chan i Dennis Leung, wykładowcy na Uniwersytecie Politechnicznym w Hong Kongu odkryli prosty i tani sposób poprawy wydajności organicznych tranzystorów z pentacenu przy pomocy umieszczonej wewnątrz nich cienkiej warstwy srebra. Metodę taką stosowano już wcześniej - nanocząsteczki metali bowiem doskonale utrzymują ładunki elektryczne. Do tej pory jednak wymagała ona pieczołowitego (i kosztownego) umieszczania nanocząsteczek srebra na powierzchni organicznego półprzewodnika. Chan i Leung jako pierwsi umieścili srebrną warstwę wewnątrz, tworząc strukturę kanapki.

Poza prostszym procesem produkcji rozwiązanie takie ma jeszcze jedną zaletę: dobierając grubość metalicznej warstwy można regulować parametry pracy tranzystora i dostosować je do konkretnych wymagań. Przykładowo, warstwa srebra grubości jednego nanometra stabilnie przechowuje ładunki przez trzy godziny, co wystarcza do zastosowania układów w roli buforów pamięci. Grubsza warstwa zachowuje się bardziej konwencjonalnie i utrzymuje ładunki przez dłuższy czas.

Mariusz Błoński
| Drukuj | Zamknij |