Data: Czwartek, 29 stycznia 2009, 15:30

Samsung: 4 gigabity w jednej kości DDR3

Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.

Układ, ze względu na niewielkie zużycie energii, powstał przede wszystkim z myślą o zastosowaniach serwerowych. Może on posłużyć zarówno do budowy 16-gigabajtowych kości RDIMM dla serwerów, jak i 8-gigabajtowych układów dla stacji roboczych, pecetów i laptopów. Możliwe jest też budowanie układów o pojemności 32 gigabajtów.

Nowa 4-gigabitowa kość pracuje przy napięciu 1,35 wolta, a więc o 20% mniejszym niż standardowe 1,5 V dla układów DDR3. Maksymalna szybkość przesyłu danych wynosi 16 Gb/s.

Mariusz Błoński