Data: Czwartek, 4 grudnia 2008, 18:44

Hynix wyprodukował 2-gigabitowy mobilny moduł DRAM

Firma Hynix Semiconductor poinformowała o opracowaniu pierwszego na świecie 2-gigabitowego mobilnego modułu DRAM przy użyciu technologii 54 nm.

Produkt oferuje dwukrotnie większą pojemność w porównaniu do obecnych rozwiązań 1-gigabitowych. Zwiększa maksymalną prędkość operacyjną do 400 Mb/s przy napięciu 1.2 V i umożliwia przetwarzanie danych z prędkością do 1,6 GB/s. W dodatku jest bardziej energooszczędny od obecnie stosowanych rozwiązań.

Produkt spełnia wymagania standardu JEDEC i jest przeznaczony do urządzeń przenośnych nowej generacji takich jak MID (Mobile Internet Device) czy UMPC (Ultra Mobile PC).

Rozpoczęcie masowej produkcji przewidziano na pierwszą połowę przyszłego roku.