Pamięci XDR DRAM
Nowy standard pamięci – XDR, stworzony przez firmę RAMBUS, zdołał zdobyć już swoich kolejnych reprezentantów. Do tej pory SAMSUNG oferował moduły 256-megabitowe. Elpida oraz Toshiba zaprezentowały jednak już wersje 512-megabitowe. Produkt Elpidy wytwarzany jest w procesie 100nm i posiada 104-piny (typ FBGA). Oferuje częstotliwość na poziomie 3,2GHz (skalowalną do 4GHz) oraz przepustowość 6,4GB/s. Kości XDR od Toshiby pracują z zegarem 4,8GHz, dostarczając przy tym przepustowość rzędu 12,8-gigabitów na sekundę. RAMBUS nie podał informacji dotyczącej maksymalnej prędkości modułów XDR. Masowa produkcja przez firmy: Elpida, Samsung, Toshiba, ma rozpocząć się w drugim kwartale. Nowe pamięci zadebiutują w najnowszej konsoli SONY, a później mają być wykorzystywane w high-endowych kartach graficznych i zastąpić dotychczasowe kości GDDR3.