Powstał prototypowy układ DDR3
Samsung Electronics zakończył pracę nad prototypowym układem pamięci DDR3.
512-megabitowa kość, której masowa produkcja rozpocznie się w 2006 roku, pracuje przy napięciu 1,5 V i może przesyłać dane z prędkością 1066 megabitów na sekundę. To dwukrotnie szybciej niż układy DDR2.
Firma poinformowała, że układy będą wykonane w technologii 80 nm. Zdaniem jej przedstawicieli kości DDR3 zdobędą w 2009 roku 65% rynku układów pamięci.