Data: Wtorek, 1 stycznia 2008, 15:58

Miniaturyzacja pamięci DRAM nabiera tempa

Mimo tego, że producenci pamięci wytwarzają już moduły 1 GB w procesie 70 nm, aby ograniczyć koszty i zmniejszyć wahania cen, rynek jest już gotowy na kolejny krok - zejście poniżej 70 nm.

Powerchip Semiconductor Corporation (PSC), który zaczął stosować moduły 70 nm od drugiego kwartału 2007 roku, zamierza przestawić produkcję na 65 nm w drugim kwartale nowego roku.

Światowy lider pamięci DRAM, Samsung Electronics unowocześnił linie produkcyjne w drugim kwartale 2007 i od tamtej pory, wytwarza moduły w technologii 68 nm. Kolejny etap to 54 nm, w drugim kwartale 2008.

Hynix Semiconductor także zamierza zamienić proces 66 nm na 54 nm w tym samym czasie co Samsung.

Pozostali producenci - Inotera Memories, Nanya Technology oraz Winbond Electronics - nie planują unowocześnienia do procesu produkcyjnego poniżej 70 nm przez kolejny rok.

Patrząc na to z historycznego punktu widzenia, zazwyczaj producentom potrzeba dwóch lat zmianę procesu wytwarzania.

CHIP