Data: Środa, 28 listopada 2007, 12:26

Tranzystor polowy w technologii C60

Badaczom z Georgia Institute of Technology udało się wyprodukować cienkowarstwowy, wydajny tranzystor polowy.

Osiągnięcie jest tym ciekawsze, że element powstał w temperaturze pokojowej i składa się wyłącznie z warstw fulerenów, a więc 60-atomowych cząstek węgla. Zbudowanie wspomnianego tranzystora przybliża moment, w którym możliwe stanie się produkowanie bardzo tanich urządzeń elektronicznych, które naniesiono na elastyczne podłoże o dużej powierzchni. Najczęściej wspomina się o giętkich wyświetlaczach, inteligentnych tablicach informacyjnych czy znacznikach radiowych (RFID).

Wysokowydajny tranzystor polowy w technologii C60

Zdaniem naukowców, wszystkie podzespoły potrzebne do stworzenia elastycznych układów elektronicznych stały się dostępne. Trwają już prace nad pierwszymi bramkami logicznymi, oscylatorami i innymi podzespołami elektronicznymi. Co więcej, dzięki zastosowaniu węgla, opisywany tranzystor przewyższa niektórymi parametrami (np. ruchliwością ładunków elektrycznych) część obecnie wykorzystywanych technologii. Z kolei niska temperatura wytwarzania pozwala umieścić elementy na plastikowym podłożu. Istnieją również pewne niedogodności technologii C60. Na przykład, obecne układy węglowe nie mogą być wystawione na wpływ powietrza - wymagana jest atmosfera azotu.

Przemysław Kobel