Data: Czwartek, 25 października 2007, 10:26

Samsung: Pamięć flash 128 GB

Samsung oznajmił wynalezienie chipu pamięci NAND flash wykonanego w technologii MLC (Multi Level Cell), o pojemności 64 gigabity. Najnowsza technologia to ważny krok w kierunku wyraźnego zwiększenia pojemności, możliwej do uzyskania w pamięciach typu flash.

Wynaleziony komponent pamięci flash wyprodukowano w procesie 30nm. Według zapowiedzi Samsunga, na pojedynczej karcie pamięci można pomieścić 16 chipów 64-gigabitowych, co w rezultacie da pojemność rzędu 128 GB. Oznacza to możliwość zapisania 80 filmów w jakości DVD na jednej karcie. Wraz z powyższym prototypem, Samsung wyprodukował również odpowiednik o pojemności 32 gigabity.

Chip ma znaleźć się w masowej produkcji w 2009 roku. Samsung jest firmą, która wyraźnie napędza rynek – rozwijanie tej technologii rozpoczęła w 2001 roku, od karty wykonanej w procesie 100 nm, o pojemności 1 GB.