Data: Czwartek, 25 stycznia 2007, 11:00

SanDisk i Toshiba łączą siły

Wiele firm walczy o pozycję lidera w pracach nad technologią i produkcją pamięci flash NAND. Od kilku miesięcy Samsung niejednokrotnie wychwalał swoje pamięci oraz prędkość ich produkcji. Nie chcąc pozostać w tyle, Toshiba i SanDisk zaprezentowały wyniki ich wspólnych wysiłków nad stworzeniem szybkiej pamięci NAND MLC.

Karty mają być zbudowane w procesie 56 nanometrów używając 300 milimetrowych wafli. W pierwszym kwartale tego roku mają być dostępne modele o pojemności 8 GB, w kolejnym zaś ta cyfra ma się zwielokrotnić do 16 GB.

„Wraz z uruchomieniem 56-nanometrowej technologii, SanDisk wypuszcza jego piątą generację kart pamięci flash MLC NAND” – powiedział Dr. Randhir Thakur z SanDiska – „Technologia i postęp w projekcie pozwoli naszym produktom na oferowanie około dwukrotnego wzrostu wydajności zapisu, porównując z technologią 70 nanometrów”.

Nowe chipy będą produkowane w fabryce Toshiby zlokalizowanej niedaleko miasta Nagoya w Japonii. Budowana jest też nowa fabryka.

CHIP