Data: Środa, 13 września 2006, 01:05

Samsung: 4 GB pamięci flash w 40 nm

Samsung zaprezentował pierwsze 40 nanometrowe pamięci flash. 4 GB pamięć NAND flash jest pierwszą z kart wykorzystującą CTF (Charge Trap Flash).

Nowa technologia pozwala zmniejszyć szumy między komórkami pamięci, przez co będzie możliwe przejście na proces 30 oraz 20 nm.

Wykorzystując proces 40 nm, a także technologię CTF, która pozwala na zwiększenie wydajności i szybkości działania kart, Samsung ma zamiar produkować 2GB, 4GB oraz 8GB karty. Jak narazie, niewiadomo kiedy karty trafią do sprzedaży.