Data: Poniedziałek, 7 sierpnia 2006, 14:29

FeRAM w procesie 65 nm

Fujitsu Microeletronics powiadomiło, iż Tokijska Politechnika, razem z Fujitsu Laboratories i Fujitsu Limited opracowały nowy materiał, z którego można tworzyć moduły FeRAM (Ferroelectric RAM) w procesie produkcyjnym 65 nm. FeRAM jak można się domyśleć po nazwie, jest dalekim kuzynem niedawno opisywanego MRAM'u (Magnetic RAM).

Tak jak pamięć magnetyczna, pamięć ferroelektryczna łączy w sobie zalety pamięci dynamicznej (DRAM), statycznej (SRAM) oraz pamięci flash – jest bardzo szybka, ale nie potrzebuje odświeżania komórek, a co za tym idzie jest energooszczędna i w pewnym stopniu niezależna od źródła zasilania, ponieważ nie traci zawartości po odcięciu dopływu prądu. Dane znikają dopiero w momencie procedury odczytu i wtedy muszą zostać odświeżone.

Idea pamięci FeRAM nie jest nowa, ale związek bizmutu, żelaza i tlenu wynaleziony przez Fujitsu, pozwala tworzyć kości o 5-krotnie wiekszej pojemności niż dotychczas, z uwagi na możliwość produkowania ich w procesie technologicznym 65 nm zamiast dotychczasowych 180 nm.

Fujitsu produkuje FeRAM w starej technologii od 1999 roku, zaś próbki pamięci korzystających z nowego materiału pojawią się równo 10 lat później, czyli w 2009.