Data: Czwartek, 26 stycznia 2006, 16:38

Pamięć SRAM w technologii 45 nm

Intel zaprezentował najprawdopodobniej pierwsze w pełni funkcjonalne układy pamięci SRAM (Static Random Access Memory) wykonane w procesie technologicznym 45 nanometrów.

Najnowsze osiągnięcie Intela dowodzi, że firma jest na najlepszej drodze do rozpoczęcia w 2007 roku produkcji układów w technologii 15 nm z wykorzystaniem 300-milimetrowych wafli krzemowych. Oznacza to kontynuację dalszego rozwoju zgodnie z Prawem Moore’a poprzez nową generację procesu technologicznego co dwa lata.

Wstępne prace związane z wdrożeniem procesu technologicznego 45 nm są obecnie prowadzone w zakładzie D1D w Oregonie. Intel poinformował również o planach uruchomienia dwóch fabryk produkujących na masową skalę układy w procesie technologicznym 45nm w Arizonie (Fab 32) oraz w Izraelu (Fab 28).