Data: Sobota, 14 stycznia 2006, 08:22

PRAM, następca pamięci flash?

Zespół naukowców z japońskiego Uniwersytetu Kanazawa skonstruował urządzenie, które wykorzystuje tzw. zmiennofazową pamięć RAM (PRAM). W przeciwieństwie do podobnych rozwiązań, japoński prototyp oferuje znacznie szybszą transmisję danych.

Pamięć PRAM zaliczana jest do typu pamięci nieulotnej, opartej na nośniku krystalicznym.

Nośnikiem jest stop tellurku antymonu oraz tellurku gallu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW. Dotychczas główną wadą tej technologii była zbyta mała prędkość oraz trwałość zapisanych danych.

Jak podaje gazeta Nikkei Business, Japończykom udało się pokonać tą barierę i przyspieszyć prędkość zapisu, a ponadto zwiększyć trwałość przechowywania danych, które można obecnie nadpisywać ok. 400 tys. razy.

Naukowcy z Uniwersytetu Kanazawa mają nadzieję, że ich wynalazek zastąpi w przyszłości popularny standard pamięci flash w urządzeniach przenośnych.