RRAM od NTT - nowy rodzaj pamięci
"
Nikkei Business Daily" donosi, że w laboratoriach
NTT DoCoMo powstał nowy rodzaj pamięci nieulotnych. Do zbudowania
RRAM (
Resistance Random Access Memory) wykorzystano tlenek bizmutowo-tytanowy oraz pamięci ferroelektryczne (
FeRAM).
W ten sposób uzyskano układ pamięci, który ma działać szybciej od obecnie dostępnych i pobierać mniej energii do pracy. Kolejną zaletą
RRAM-u jest fakt, że układy te można tworzyć przy wykorzystaniu obecnych metod produkcji, a konieczne do jego zbudowania materiały są łatwo dostępne.