Data: Piątek, 28 października 2005, 16:04

Przełomowe pamięci GDDR4

Firma Samsung Electronics zaprezentowała najszybszą na rynku kość pamięci GDDR4, której prędkość transferu wynosi 2,5 Gbit/s. Pierwsze próbne partie nowego układu zostały rozesłane do czołowych producentów systemów graficznych.

Przy projektowaniu nowej pamięci firma zastosowała technologie DBI (Inwersja Szyny Danych) oraz Multi-Preamble, które pomogły wyeliminować opóźnienia w transmisji danych. Rezultatem jest wzrost prędkości o 56% w stosunku do aktualnie obecnych na rynku graficznym kości pamięci GDDR3.

Wyglądem układy GDDR4 są bardzo zbliżone do swoich poprzedników, co będzie dużym ułatwieniem dla producentów kart i systemów graficznych w integracji nowego układu ze swoimi produktami.

Jeszcze przed końcem tego roku, Samsung planuje przedstawić próbną partię kości GDDR4, o szybkości transferu 2,8 Gbit/s, zaś ich masowa produkcja ma ruszyć w drugim kwartale przyszłego roku.

We wrześniu nVidia zapowiedziała produkcję nowego chipu graficznego G80 z ShaderModel 4.0 (dostępnego już obecnie w DirectX 9.0l) w przyszłym roku właśnie z tymi pamięciami. Taktowanie ma wynosić 800 MHz (1600 efektywnie) na początku produkcji. Podobno Samsung osiągnął bez trudu 1.4 GHz (efektywnie 2.8 GHz) na tych pamięciach. Także przez najbliższe 2-3 lata zapewne będa one wykorzystywane.