Data: Piątek, 9 września 2005, 21:16

Pamięci Pseudo SRAM Samsunga

Nowości znajdą zastosowanie przede wszystkim w nowoczesnym sprzęcie przenośnym, np. w telefonach komórkowych trzeciej generacji. Pamięci taktowane są zegarem 133 MHz, czyli są 1,7 raza szybsze od dotychczas dostępnych pamięci pseudo SRAM, pracujących z częstotliwością 80 MHz. Nowe układy pamięci produkowane są w technologii 90 nm.

Samsung planuje rozpocząć sprzedaż próbnej serii nowych pamięci pod koniec września, a start masowej produkcji i sprzedaży układów „UtRAM” przewidziany jest przed końcem tego roku. Pamięci będą dostępne w postaci pojedynczych układów lub jako moduły.

Pamięci Pseudo SRAM to energooszczędne rozwiązanie, które wykorzystuje komórki pamięci DRAM w połączeniu z interfejsem SRAM. Specyfikacja elektryczna 256-Mbitowych kości UtRAM jest oparta na formacie SRAM, standaryzowanym przez amerykańską organizację Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC).