IBM: Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS

Specjaliści z IBM otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.

Brak pasma wzbronionego w grafenie powoduje, że, pomimo iż ruchliwość elektronów w tym materiale jest znacznie wyższa niż w krzemie, to współczynnik on/off wynosi w nich zaledwie 10, podczas gdy w krzemie jest liczony w setkach. IBM poinformował, że po otwarciu pasma w temperaturze pokojowej udało się osiągnąć w grafenie współczynnik bliski 100, a gdy urządzenie jest schłodzone wzrasta on do 2000.

Ekspertom udało się to wszytko osiągnąć głównie dzięki odizolowaniu bramki za pomocą polimeru. To zredukowało rozpraszanie elektronów, prowadząc do zwiększenia współczynnika on/off.

Teraz badacze IBM rozpoczynają prace nad zmniejszeniem grubości warstwy izolującej, otwarciem szerszego pasma wzbronionego i zwiększeniem współczynnika on/off.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

28.01.2010 r.

Apple podało specyfikację iPada, 14:33

27.01.2010 r.

Apple - firma skazana na sukces, 17:11

28.01.2010 r.

Microsoft walczy z litewskim trackerem, 14:48

29.01.2010 r.

Microsoft: Dobre wyniki finansowe dzięki Windows 7, 13:05