Toshiba: Nowy fotorezyst dla technologii 20 nanometrów

Toshiba poinformowała o opracowaniu fotorezystu, który współpracuje z litografią w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) i jest pierwszym nadającym się do wykorzystania w 20-nanometrowym procesie produkcyjnym.

Obecnie stosowane fotorezysty, korzystające z polimerów, nie są odpowiednie do wykorzystania w technologiach poniżej 20 nanometrów. Spowodowane jest to ich rozdzielczością.

Prace nad urządzeniami litograficznymi zdolnymi do produkcji układów scalonych, których wielkość bramki nie przekracza 20 nanometrów są bardzo zaawansowane. Jednak dotychczas brakowało odpowiedniego fotorezystu.

Toshiba opracowała przydatny fotorezyst wykorzystując do jego produkcji odmianę materiału zwanego truxene. Dzięki niemu już wyprodukowano testowy wzorzec o liniach grubości 22 nanometrów. Badania wykazały też, że jest on też o 40% bardziej trwały od powszechnie używanego polihydroksystyrenu.

Wg planów w International Technology Roadmap for Semiconductors, w roku 2013 rozpocznie się masowa produkcja układów w technologii 20 nanometrów.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

17.11.2009 r.

Procesory w technologii 32 nm w styczniu 2010 roku?, 16:31

Kod źródłowy Androida 2.0 dostępny do analizy, 16:29

18.11.2009 r.

1 mln USD za rezygnację z Google, 8:03

Rozwód Time Warner z AOL, 8:05