Powstała pamięć półprzewodnikowa - RRAM?

Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory).

Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).

RRAM to pamięć półprzewodnikowa, w której materiał zmienia rezystancję pod wpływem przyłożonego napięci elektrycznego. Jej zalety to duża gęstość upakowania danych, niewielki pobór mocy oraz przechowywanie danych po odłączeniu zasilania.

Prace badawcze nad RRAM trwają od 2000 roku, kiedy to odkryto, że w materiałach cienkowarstwowych (thin film) pod wpływem impulsu elektrycznego zachodzi zmiana rezystancji. W skład badanych materiałów wchodziły zwykle złożone tlenki perowskitów.

Od wielu lat badania nad RRAM prowadzą najwięksi - Sharp, Sony, Samsung, Micron, Elpida czy Hynix. Podobno sami Japończycy wydali na nie 100 milionów dolarów i, jak dotąd, na rynek nie trafiły żadne pamięci tego typu. Nie widać też rezultatów badań prowadzonych przez europejski IMEC we współpracy z piątką największych producentów układów pamięci - Samsungiem, Hyniksem, Quimondą, Micronem i Elpidą.

W roku 2007 z firmy 4D-S Pty. Ltd. wyłoniła się 4DS z siedzibą w Kalifornii, która zebrała fundusze i zaczęła prowadzić własne badania nad RRAM.

Obecnie firma informuje, że opracowane przez nią pamięci 4DS są praktycznie gotowe i może rozpocząć się ich produkcja. Z ujawnionych informacji wynika, że układy 4DS mogą zastąpić wszystkie rodzaje pamięci półprzewodnikowych, są proste w produkcji i mogą zostać wytworzone przy użyciu obecnie stosowanych technik. 4DS RRAM to nieulotna pamięć, w której przełączanie pomiędzy poszczególnymi stanami odbywa się w czasie krótszym niż 5 nanosekund. Pamięć jest w stanie wytrzymać miliard cykli odczytu/zapisu. Zużywa przy tym mniej energii, co czyni ją szczególnie przydatną w niewielkich urządzeniach przenośnych. RRAM ma tę przewagę nad innymi nowymi rodzajami pamięci, że potrzebuje mniej energii niż PRAM i jest znacznie prostsza w produkcji od MRAM.

Jeśli 4DS znajdzie partnera do produkcji pamięci RRAM, to pierwsze egzemplarze pojawią się w ciągu 24 miesięcy.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

10.02.2009 r.

Energooszczędne amortyzatory, 15:18

Sony Ericsson Hikaru - pierwsze zdjęcie telefonu, 15:15

10.02.2009 r.

Kingston CompactFlash Elite Pro 32 GB, 19:31

Lepsze polimery, świeższa żywność, 19:32