IBM: Najszybszy grafenowy tranzystor

IBM poinformował o stworzeniu najbardziej wydajnego grafenowego tranzystora polowego. Urządzenie, które może pracować z najwyższymi notowanymi dotąd częstotliwościami, powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Applications (CERA). Jego celem jest opracowanie urządzeń komunikacyjnych przyszłej generacji.

Prędkość pracy tranzystora zależy od jego wielkości oraz prędkości przemieszczania się elektronów. Specjaliści IBM-a po raz pierwszy udowodnili, że w grafenie, wraz ze zmniejszaniem urządzenia, można osiągać wyższe częstotliwości pracy. Ostatecznie udało im się stworzyć tranzystor, który pracuje z częstotliwością 26 GHz, a długość jego bramki wynosi 150 nanometrów.

Według ekspertów po odpowiednich ulepszeniach i stworzeniu bramki długości 50 nanometrów mozna uzyskać grafenowy tranzystor pracujący z częstotliwościami liczonymi w terahercach.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

22.12.2008 r.

Windows XP dostępny jednak do końca maja, 17:27

Funai prezentuje DynamicECD, 17:26

23.12.2008 r.

VIA Trinity - Hi-Def w małych gabarytach, 12:57

OCZ proponuje wyczynową serię Blade, 13:05