IBM: Pamięć SRAM w 22 nanometrach

Pierwszą działającą pamięć SRAM wykonaną w technologii 22 nanometrów stworzyła firma IBM. Wydajne i energooszczędne procesory z wykorzystaniem opracowanych rozwiązań powinny się pojawić w ciągu trzech lat.

Przełomową pamięć SRAM firma IBM opracowała wraz ze swoimi partnerami tzn. firmami AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba oraz uczelnią College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE).

Aby nowy układ powstał, konieczne było nie tylko zmniejszenie najmniejszych elementów pamięci SRAM, ale również zoptymalizowanie jej projektu i opracowanie kilku nowych procesów produkcyjnych. Powstał układ, w którym każda komórka pamięci SRAM ma sześć tranzystorów rozmieszczonych na obszarze 0,1 µm².

Opracowanie tego typu układu w technologii 22 nm to nawet nie jeden, ale nawet dwa kroki dalej w dziedzinie miniaturyzacji. Obecnie przy produkcji niektórych procesorów dostępnych na rynku stosowana jest technologia 45 nm. Za technologie kolejnej generacji należy uznać 32 nm – tę barierę IBM przekroczył rok temu.

Oczywiście pokonanie każdego z tych etapów pozwala na zwiększenie liczby tranzystorów, które można upakować w jednym układzie. To z kolei pozwala na tworzenie małych i wydajnych urządzeń.

Pamięci SRAM są obecnie stosowane w procesorach jako pamięć podręczna. Przedstawiciele IBM mówią, że wraz z rosnącą liczbą rdzeni w procesorze, wzrasta zapotrzebowanie na pamięć wewnątrz CPU. Opracowana technologia jest więc niezbędna do dalszego rozwoju. Stworzona przez IBM pamięć SRAM jest zwiastunem nowej generacji procesorów, które powinny pojawić się w 2011 roku.

Pamięć nowej generacji została stworzona w laboratorium CNSE, gdzie IBM przeprowadza wiele swoich badań. Szczegóły dotyczące nowego procesu produkcji zostaną zaprezentowane w czasie imprezy IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), która odbędzie się w dniach 15-17 grudnia w San Francisco.

Marcin Maj
Więcej informacji w Dzienniku Internautów

Podobne tematy

IMTF prezentuje 128-gigabitową pamięć NAND, 07.12.2011 r.

IBM pokazał prototyp rewolucyjnego układu pamięci, 06.12.2011 r.

KE vs IBM: Jest ugoda, 20.09.2011 r.

IBM: Największy na świecie system przechowywania danych, 29.08.2011 r.

IBM wycofuje się z projektu Blue Waters, 11.08.2011 r.

Żelowa pamięć, 19.07.2011 r.

IBM: Zmiennofazowy przełom, 01.07.2011 r.

Kwantowa pamięć z diamentu, 29.06.2011 r.

IBM przewidzi sytuację na drogach, 14.04.2011 r.

Atomowa pamięć z Utah, 20.12.2010 r.

Jaśniejszy LED od Osram, 28.11.2010 r.

Pierwsza plastikowa pamięć spintroniczna, 14.08.2010 r.

Samsung przedstawia szybką pamięć SSD 512 GB, 30.06.2010 r.

Pamięć SRAM w technologii 45 nm, 26.01.2006 r.

Pamięci Pseudo SRAM Samsunga, 09.09.2005 r.

Pokaż więcej...

Najnowsze

01.02.2012 r.

Zamknięcie MegaUpload bez związku z piractwem?, 16:04

Atak phishingowy na użytkowników Allegro, 16:00

Debiut AMD Radeon HD 7950, 15:58

30.01.2012 r.

Facebook zadebiutuje niedługo na giełdzie?, 15:03

Kinect trafi do notebooków, 15:02

Skype cenzuruje wiadomości w Chinach, 15:01

Twitter będzie cenzurował, 15:00

Atak na użytkowników Androida, 14:59

26.01.2012 r.

Coraz lepsze zarobki w Dolinie Krzemowej, 10:27

ACTA obnażyła prawdziwą słabość Tuska, 10:23

25.01.2012 r.

Elpida wyprodukowała ReRAM, 18:17

Grafen nadprzewodnikiem chiralnym?, 18:16

Niezwykła właściwość dwuwarstwowego grafenu, 18:15

ACTA: Zagraniczna prasa o protestach w Polsce, 18:11

pureSilicon: Pendrive cienki, pojemny i wydajny, 18:07

Opinie

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego.

Brak komentarzy. Może warto dodać swój własny?