Najszybsze tranzystory w historii

Berliński Instytut Wysokich Częstotliwości im. Ferdinanda Brauna (Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik - FBH) opracował technologię, która pozwala na tworzenie układów scalonych pracujących z częstotliwościami powyżej 200 gigaherców. Co więcej, nowa technologia umożliwia tworzenie trójwymiarowych układów.

Aktywnymi elementami w nowej kości są tranzystory wykonane z arsenku galowo-indowego (InGaAs).

Najpierw na podkład nakładane są cienkie warstwy fosforku indu oraz InGaAs. Grubość każdej z nich jest mniejsza niż 10 nanometrów. Następnie całość przygotowuje się za pomocą standardowych procesów wytrawiania i metalizacji. Później frontowa część tak przygotowanej warstwy jest mocowana do ceramicznego nośnika, a dotychczasowy podkład zostaje usunięty. W efekcie otrzymujemy odpowiednio ułożone warstwy fosforku indu i InGaAS umieszczone na ceramicznym podłożu i mamy dostęp do tylnej części, na którą możemy teraz nakładać kolejne warstwy tworząc trójwymiarową strukturę.

Wolfgang Heinrich, szef wydziału zajmującego się w FBH badaniem nad mikrofalami wyjaśnia, że dzięki usunięciu krzemowego podkładu wyeliminowano negatywny wpływ tego materiału na właściwości dielektryczne tranzystorów. Dzięki temu uzyskano częstotliwość ich pracy powyżej 200 GHz. Niemieccy naukowcy twierdzą, że teoretycznie częstotliwość taktowania układów wykonanych w nowej technologii może wynieść nawet 480 GHz.

Nie wiadomo, czy nowa technologia trafi na rynek, gdyż tylko jedna instytucja zainteresowała się tym.

O wykorzystaniu InGaAs pisaliśmy także w Zastępstwo dla krzemu oraz Ultraszybki tranzystor.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

28.07.2008 r.

AutoMapa 5.1, 17:32

Polska traci komórki, 17:30

29.07.2008 r.

Odtwarzacz typu boombox z 7-calowym ekranem LCD, 10:21

DirectX 11 nie tylko dla Windows 7, 13:02