Pamięci zmiennofazowe coraz bliżej

Potencjalnym następcą popularnych pamięci flash są pamięci zmiennofazowe. Intel i STMicroelectronics współpracują nad wprowadzeniem produktów w nowej technologii do końca tego roku. Firma Samsung już obwieściła, że takie moduły będą gotowe przed końcem 2007 r.

Pojęcie pamięci zmiennofazowych zostało sformułowane w latach 60-tych. Oferując prędkość zapisu do 10 ns na jeden bajt są one około 100 tysięcy razy szybsze od pamięci flash. W dodatku, są od nich trwalsze - można na nich dokonać zapisu do 100 milionów razy na sektor. Umożliwiają przechowywanie danych przez długi czas bez ryzyka ich uszkodzenia. Ostrożne prognozy mówią nawet o 10 latach. Natomiast pamięci flash, wytrzymują 10-100 tysięcy zapisów na sektor. Później ich wydajność spada.

Firma Samsung poinformowała że zacznie produkcję od modułów o pojemności 512 MB. Nieznana jest jeszcze cena produktu.

Wersja do druku

14.08.2007 r.

Intel - nowe procesory serwerowe Xeon, 11:00

13.08.2007 r.

Co trzecia rozmowa na podsłuchu, 18:24

15.08.2007 r.

Athlon 64 X2 6400+ „Black Edition”, 12:37

OCZ: DDR3 z najwyższej półki, 12:40