Grafen szybkorosnący

Jednym z warunków, jaki musi zostać spełniony, by grafen mógł wejść do powszechnego użytku, jest opracowanie metody jego masowej produkcji. Metodą taką może być przystosowanie osadzania z fazy gazowej (CVD) do współpracy z produkcją przemysłową na rolkach.

Pracuje nad tym m.in. filadelfijska firma Graphene Frontiers. Problem jednak w tym, że uzyskanie na miedzianej folii metodą CVD pojedynczego kryształu grafenu o długości centymetra może trwać nawet cały dzień.

Naukowcy z Politechniki w Hongkongu i Uniwersytetu w Pekinie opracowali technologię, która pozwala na znaczne przyspieszenie tego procesu. Okazało się, że po dodaniu nieco tlenu bezpośrednio do miedzianej folii prędkość wzrostu kryształu grafenu zwiększyła się aż 150-krotnie - z 0,4 mikrometra do 60 mikrometrów na sekundę.

Z artykułu opublikowanego w Nature Nanotechnology dowiadujemy się, że chińscy naukowcy umieścili tlen w odległości 15 mikrometrów poniżej folii. Ciągłe dostawy tlenu zmniejszyły barierę energetyczną rozkładu węgla dostarczanego w procesie produkcyjnym, zwiększając tym samym tempo tworzenia się grafenu. Podczas prowadzonych eksperymentów naukowcom udało się w ciągu zaledwie 5 sekund uzyskać kryształ grafenu o długości 0,3 milimetra. Tempo jego wzrostu były o dwa rzędy wielkości szybsze niż w innych metodach z wykorzystaniem folii miedzianej.

Mariusz Błoński


Wersja do druku

21.08.2016 r.

Intel prezentuje Project Alloy, 9:17

CLARITY P300 – stacjonarny telefon dla osób niedosłyszących, 9:15

21.08.2016 r.

IBM: TrueNorth przechwytuje 2000 ramek na sekundę, 9:22

Telefony Nokia coraz bliżej rynkowej premiery, 9:24